Informasi Detil Paper


Judul: Laser Semikonduktor GaAs Jenis Double Heterojunction Sebagai Sumber Cahaya dalam Komunikasi Optik
Penulis: Samy J. Litiloly & Nicolas Titahelu  || email: info@mx.unpatti.ac.id
Jurnal: Prosiding Archipelago Engineering 2019 Vol. 1 no. 1 - hal. 128-134 Tahun 2019  [ Teknik ]
Keywords:  laser semikonduktor, double heterojunction GaAs, komunikasi optik.
Abstract: Telah diteliti suatu sistem junction yang tepat sebagai gelombang carrier dalam komunikasi optik. Mula-mula disampaikan asal muasal munculnya Laser Semikonduktor GaAs, kemudian struktur homojunction, khususnya uraian tentang rapat arus ambang dan daya output saat forward-bias; yang memberikan λoutput dengan profil yang tidak tajam (pelebaran 2 μm) dan daya dibawah 10 mW. Setelah itu, pencampuran III-V terhadap GaAs murni, diciptakan untuk mempertajam profil laser output dan memperbesar dayanya. Struktur yang terbaik untuk keperluan ini adalah double heterojunction (DH) dengan salah satu bahan unggulannya adalah Ga1-xInxAs1-yPy. Kemudian ditunjukkan bahwa bahan ini memberikan λoutput ≈ 1,55 μm dan daya output diatas 10 mW dengan efisiensi operasi 70 %.
File PDF: Download fulltext PDF PDF

<<< Previous Record Next Record >>>