Universitas Pattimura :: Repository Paper

Judul:	Laser Semikonduktor GaAs Jenis Double Heterojunction Sebagai Sumber Cahaya Dalam Komunikasi Optik
Penulis:	Samy J. Litiloly \|\| email: info@mail.unpatti.ac.id
Jurnal:	Teknologi Vol. 13 no. 1 - hal. 2131-2137 Tahun 2016 [ Teknik ]
Keywords:	Laser Semikonduktor GaAs, Double Heterojunction, dan Komunikasi Optik
Abstract:	Telah dilakukan riset Laser Semikonduktor untuk mempelajari suatu sistem junction yang tepat sebagai gelombang carrier dalam komunikasi optik. Mula-mula disampaikan asal muasal munculnya Laser Semikonduktor GaAs, kemudian struktur homojunction-nya, khususnya uraian tentang rapat arus ambang dan daya output saat forward- bias; yang memberikan Î»output dengan profil yang tidak tajam (pelebaran = 2 Î¼m) dan daya dibawah 10 mW. Setelah itu semua, pencampuran III-V terhadap GaAs murni, diciptakan untuk mempertajam profil laser output dan memperbesar dayanya. Struktur yang terbaik untuk keperluan ini adalah double heterojunction (DH) dengan salah satu bahan unggulannya adalah Ga1-xInxAs1-yPy. Kemudian ditunjukan juga bahwa bahan ini memberikan Î»output â‰ˆ 1,55 Î¼m dan daya output diatas 10 mW dengan efisiensi operasi 70%. Prospektifitas tinggi untuk komunikasi optik fiber silikon, sekarang dan masa depan dari laser semikonduktor bahan GaAs murni dan campuran IIIâ€“V-nya; dideklarasikan pada kesimpulan.
File PDF:	Download fulltext PDF

Akses dari IP Address 18.188.108.54

Universitas Pattimura :: Paper Repository